STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1.2 kV Entleerung / 33 A 290 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5489
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW40N120G2VAG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.105Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Durchlassspannung Vf | 3.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.105Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Durchlassspannung Vf 3.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 34.95mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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