STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 33 A 290 W, 3-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
202-5489
Herst. Teile-Nr.:
SCTW40N120G2VAG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.105Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

290W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

3.4V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Höhe

34.95mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15 mm

Länge

15.75mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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