STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 33 A 290 W, 4-Pin Hip-247

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Herst. Teile-Nr.:
SCTWA40N12G24AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Serie

SCTWA40N12G24AG

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

105mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Maximale Verlustleistung Pd

290W

Durchlassspannung Vf

3.4V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der zweiten Generation von ST entwickelt. Der Baustein zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Durchlasswiderstand pro Flächeneinheit und ein sehr gutes Schaltverhalten aus. Die Variation der Schaltverluste ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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