STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 33 A 290 W, 4-Pin Hip-247

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Herst. Teile-Nr.:
SCTWA40N12G24AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTWA40N12G24AG

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

105mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

290W

Durchlassspannung Vf

3.4V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der zweiten Generation von ST entwickelt. Der Baustein zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Durchlasswiderstand pro Flächeneinheit und ein sehr gutes Schaltverhalten aus. Die Variation der Schaltverluste ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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