STMicroelectronics SCTW70N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-3024
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW70N120G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
37,30 €
(ohne MwSt.)
44,39 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 28. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 37,30 € |
| 5 - 9 | 36,29 € |
| 10 - 14 | 35,34 € |
| 15 - 19 | 34,44 € |
| 20 + | 33,56 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-3024
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW70N120G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 91A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTW70N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 2.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 547W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.75mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 91A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTW70N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 2.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 547W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 20.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.75mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften des Sic-Materials ermöglichen es Entwicklern, eine nach Industriestandard umrissende Bauweise mit deutlich verbesserter Wärmekapazität zu verwenden. Diese Eigenschaften machen das Gerät perfekt geeignet für Anwendungen mit hoher Effizienz und hoher Leistungsdichte.
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCTW70N Typ N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Typ N-Kanal 4-Pin
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Typ N-Kanal 4-Pin Hip-247
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin IMZC120R012M2HXKSA1
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 4-Pin SCT025W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 4-Pin SCT040W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG Typ N-Kanal 4-Pin
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 3-Pin Band und Rolle