STMicroelectronics SCTW70N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 3-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
233-3023
Herst. Teile-Nr.:
SCTW70N120G2V
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

91A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTW70N

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

547W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

2.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.75mm

Breite

5.15 mm

Höhe

20.15mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften des Sic-Materials ermöglichen es Entwicklern, eine nach Industriestandard umrissende Bauweise mit deutlich verbesserter Wärmekapazität zu verwenden. Diese Eigenschaften machen das Gerät perfekt geeignet für Anwendungen mit hoher Effizienz und hoher Leistungsdichte.

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten

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