STMicroelectronics SCTW70N N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 91 A 547 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-3023
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW70N120G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 233-3023
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW70N120G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 91A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | SCTW70N | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Durchlassspannung Vf | 2.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 547W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Breite | 5.15mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 91A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie SCTW70N | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Durchlassspannung Vf 2.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 547W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 20.15mm | ||
Breite 5.15mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften des Sic-Materials ermöglichen es Entwicklern, eine nach Industriestandard umrissende Bauweise mit deutlich verbesserter Wärmekapazität zu verwenden. Diese Eigenschaften machen das Gerät perfekt geeignet für Anwendungen mit hoher Effizienz und hoher Leistungsdichte.
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCTW70N N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 N-Kanal 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG N-Kanal 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW40N N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 3-Pin Hip-247