STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 389 W, 3-Pin SCTW60N120G2 Hip-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

23,78 €

(ohne MwSt.)

28,30 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 265 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 123,78 €
2 - 423,30 €
5 +20,98 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
239-5530
Herst. Teile-Nr.:
SCTW60N120G2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

73mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

94nC

Gate-Source-spannung max Vgs

18 V

Maximale Verlustleistung Pd

389W

Durchlassspannung Vf

3V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

UL

Höhe

5mm

Breite

15.6 mm

Länge

34.8mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur. Er kann in Schaltnetzteilen, DC/DC-Wandlern und in der industriellen Motorsteuerung verwendet werden.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle

Verwandte Links