STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 312 W, 4-Pin SCT040W120G3-4 Hip-247-4

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

494,46 €

(ohne MwSt.)

588,42 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 30 Einheit(en) mit Versand ab 28. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +16,482 €494,46 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-957
Herst. Teile-Nr.:
SCT040W120G3-4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247-4

Serie

SCT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1200V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-10 to 22 V

Maximale Verlustleistung Pd

312W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

RoHS, ECOPACK2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Verwandte Links