STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 56 A 388 W, 3-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
215-071
Herst. Teile-Nr.:
SCT025W120G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

56A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

388W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Breite

15.6 mm

Länge

34.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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