STMicroelectronics SCTW N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 60 A 388 W, 4-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
230-0094
Herst. Teile-Nr.:
SCTWA60N120G2-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTW

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Maximale Verlustleistung Pd

388W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Durchlassspannung Vf

3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

21.1mm

Länge

15.9mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics SCTWA60N ist ein Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät, das mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt wurde. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz

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