STMicroelectronics SCT019 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1200 V / 90 A 486 W, 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 719-469
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT019W120G3-4AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247-4 | |
| Serie | SCT019 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 19.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 486W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10 to 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 120nC | |
| Durchlassspannung Vf | 2.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 21.1mm | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247-4 | ||
Serie SCT019 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 19.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 486W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10 to 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 120nC | ||
Durchlassspannung Vf 2.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 21.1mm | ||
Breite 15.9 mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101 qualifiziert
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Sensor-Stift für erhöhte Effizienz