STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 45 A 277 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 212-2094
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA40N120G2V-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 277W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTWA40N120G2V-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 277W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.1mm | ||
Breite 21.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
SiC MOSFET
Der STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET mit einem Trench Field Stop (TFS) IGBT mit der gleichen Nennspannung und einem äquivalenten Betriebswiderstand. Der STPOWER SiC MOSFET zeigt deutlich reduzierte Schaltverluste, selbst bei hohen Temperaturen. Dies ermöglicht es dem Entwickler, mit sehr hohen Schaltfrequenzen zu arbeiten, wodurch die Größe passiver Komponenten für kleinere Formfaktoren reduziert wird.
Sehr niedrige Schaltverluste
Geringe Leistungsverluste bei hohen Temperaturen
Höhere Betriebstemperatur (bis zu 200 °C)
Gehäusediode ohne Rückgewinnungsverluste
Leicht zu fahren
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