STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 45 A 277 W, 3-Pin Hip-247

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Herst. Teile-Nr.:
SCTWA40N120G2V-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTWA40N120G2V-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

277W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

3.3V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Höhe

5.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

21.1 mm

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

SiC MOSFET


Der STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET mit einem Trench Field Stop (TFS) IGBT mit der gleichen Nennspannung und einem äquivalenten Betriebswiderstand. Der STPOWER SiC MOSFET zeigt deutlich reduzierte Schaltverluste, selbst bei hohen Temperaturen. Dies ermöglicht es dem Entwickler, mit sehr hohen Schaltfrequenzen zu arbeiten, wodurch die Größe passiver Komponenten für kleinere Formfaktoren reduziert wird.

Sehr niedrige Schaltverluste

Geringe Leistungsverluste bei hohen Temperaturen

Höhere Betriebstemperatur (bis zu 200 °C)

Gehäusediode ohne Rückgewinnungsverluste

Leicht zu fahren

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