STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin SCT30N120 Hip-247

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

20,24 €

(ohne MwSt.)

24,09 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Zusätzlich 10 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
  • Die letzten 316 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Stück
Pro Stück
1 - 420,24 €
5 - 919,24 €
10 - 2417,32 €
25 +17,21 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
907-4741
Herst. Teile-Nr.:
SCT30N120
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

105nC

Durchlassspannung Vf

3.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

270W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Breite

5.15 mm

Höhe

20.15mm

Länge

15.75mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET aus Siliziumkarbid (SiC), STMicroelectronics


MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) besitzen einen sehr niedrigen Widerstand zwischen Drain und Quelle im eingeschalteten Zustand für die 1200-V-Ausführung in Kombination mit ausgezeichneter Schaltleistung, was zu effizienteren und kompakteren Systemen führt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links