STMicroelectronics SCTW35 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 201-0859
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW35N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
383,58 €
(ohne MwSt.)
456,45 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 840 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | 12,786 € | 383,58 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 201-0859
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW35N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTW35 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Länge | 14.8mm | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTW35 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 15.75mm | ||
Länge 14.8mm | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 45 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 45 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCTW35 N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Kanal 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW90 N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SiC MOSFET N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 N-Kanal 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 3-Pin HIP-247-3
- STMicroelectronics N-Kanal 3-Pin Hip-247