STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 4-Pin Hip-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

13,16 €

(ohne MwSt.)

15,66 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 241 Einheit(en) mit Versand ab 18. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 413,16 €
5 - 912,82 €
10 - 2412,47 €
25 - 4912,16 €
50 +11,86 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
233-0473
Herst. Teile-Nr.:
SCTWA35N65G2V-4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCTWA35N65G2V-4

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Durchlassspannung Vf

3.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Breite

21.1 mm

Höhe

5.1mm

Länge

20.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Geringe Kapazitäten

Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz

Verwandte Links