STMicroelectronics SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 650 V / 45 A, 3-Pin Hip247

RS Best.-Nr.:: 204-3957
Herst. Teile-Nr.:: SCTWA35N65G2V
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 650 V / 45 A, 3-Pin Hip247

90 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

11,206 €

(ohne MwSt.)

13,335 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 +	11,206 €	336,18 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 204-3957
Herst. Teile-Nr.:: SCTWA35N65G2V
Marke:: STMicroelectronics

datasheet - SCTWA35N65G2V

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	45 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	SCTWA35N65G2V
Gehäusegröße	Hip247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,072 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.2V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	SiC

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 650 V / 45 A, 3-Pin Hip247

Verwandte Produkte