STMicroelectronics SCTWA35N65G2V Typ N-Kanal, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 650 V Erweiterung / 45 A 240 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 204-3957
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA35N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCTWA35N65G2V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.072Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 41.2mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCTWA35N65G2V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.072Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 41.2mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation von Einschaltwiderstand und Schaltverlusten ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Niedrige Kapazität
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur
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