Teile-Nr.

ROHM BSM N-Kanal 2, SMD SiC-Leistungsmodul 1.2 kV Erweiterung / 180 A 880 W, 4-Pin

RS Best.-Nr.:: 144-2259
Herst. Teile-Nr.:: BSM180D12P3C007
Marke:: ROHM

ROHM BSM N-Kanal 2, SMD SiC-Leistungsmodul 1.2 kV Erweiterung / 180 A 880 W, 4-Pin

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Herst. Teile-Nr.:: BSM180D12P3C007
Marke:: ROHM

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	SiC-Leistungsmodul
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	1.2kV
	Serie	BSM
	Montageart	SMD
	Pinanzahl	4
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Verlustleistung Pd	880W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	17mm
	Länge	122mm
	Breite	45.6mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ SiC-Leistungsmodul
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV
	Serie BSM
	Montageart SMD
	Pinanzahl 4
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Verlustleistung Pd 880W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 17mm
	Länge 122mm
	Breite 45.6mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2

Ursprungsland:: JP

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

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