STMicroelectronics A2F, Fahrgestell SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 75 A ACEPACK 2
- RS Best.-Nr.:
- 249-6717
- Herst. Teile-Nr.:
- A2F12M12W2-F1
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- A2F12M12W2-F1
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | A2F | |
| Gehäusegröße | ACEPACK 2 | |
| Montageart | Fahrgestell | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 18 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie A2F | ||
Gehäusegröße ACEPACK 2 | ||
Montageart Fahrgestell | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 18 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das STMicroelectronics-Leistungsmodul in Vier-Pack-Topologie ist mit fortschrittlicher Siliziumkarbid-MOSFET-Technologie ausgestattet. Das Modul nutzt die innovativen Eigenschaften des SiC-Materials mit breiter Bandlücke und eines Substrats mit hoher thermischer Leistung.
Vier-Pack-Topologie
ACEPACK 2 Leistungsmodul
13 mΩ typischer RDS(on) pro Schalter
UL-zertifizierte Isolationsspannung von 2,5 kVeff
Integrierter NTC-Temperatursensor
DBC auf Cu-Al2O3-Cu-Basis
Einpresskontaktstifte
Hervorragende Schaltleistung, die praktisch temperaturunabhängig ist
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