ROHM Halbbrücke BSM Typ N-Kanal, Oberfläche SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 240 A 250 W, 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 144-2257
- Herst. Teile-Nr.:
- BSM120D12P2C005
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
425,53 €
(ohne MwSt.)
506,38 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 425,53 € |
| 5 - 9 | 414,47 € |
| 10 - 24 | 403,82 € |
| 25 + | 393,61 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 144-2257
- Herst. Teile-Nr.:
- BSM120D12P2C005
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 240A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | BSM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Halbbrücke | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 17mm | |
| Breite | 45.6 mm | |
| Länge | 122mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 240A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie BSM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Halbbrücke | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 17mm | ||
Breite 45.6 mm | ||
Länge 122mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
SiC-Strommodule, ROHM
Das Modul besteht aus einem DMOS-FET-Versorgungsgerät aus Siliziumkarbid (SiC) mit einer Schottky-Diode (SBD) über Drain und Source.
Halbbrückenkonfiguration
Niedriger Stoßstrom
Geringe Leistungsschaltverluste
Hochgeschwindigkeitsschalten
Niedrige Betriebstemperatur
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Note
Im Lieferumfang des SiC-Versorgungsmoduls BSM180D12P2C101 sind keine Schottky-Dioden (SBD) enthalten.
Verwandte Links
- ROHM BSM N-Kanal Dual 4-Pin C
- ROHM BSM Typ N-Kanal 2 SiC-Leistungsmodul Erweiterung, 4-Pin BSM180D12P3C007
- ROHM BSM Typ N-Kanal 2 4-Pin BSM300D12P2E001
- ROHM N-Kanal, Schraub SiC-Leistungsmodul 1200 V / 204 A 1360 W
- Semikron Danfoss SEMITOP, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V SKKD80S12
- ROHM SiC MOSFET Evaluierungsplatine für
- Semikron Danfoss SEMITOP, Schraubanschlussklemme SiC-Leistungsmodul 1200 V SK30KDD12SCp SEMITOP2
- onsemi, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V 250 W F1-2PACK