ROHM Halbbrücke BSM Typ N-Kanal, Oberfläche SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 240 A 250 W, 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 144-2257
- Herst. Teile-Nr.:
- BSM120D12P2C005
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 240A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | BSM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Halbbrücke | |
| Länge | 122mm | |
| Höhe | 17mm | |
| Breite | 45.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 240A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie BSM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Halbbrücke | ||
Länge 122mm | ||
Höhe 17mm | ||
Breite 45.6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
SiC-Strommodule, ROHM
Das Modul besteht aus einem DMOS-FET-Versorgungsgerät aus Siliziumkarbid (SiC) mit einer Schottky-Diode (SBD) über Drain und Source.
Halbbrückenkonfiguration
Niedriger Stoßstrom
Geringe Leistungsschaltverluste
Hochgeschwindigkeitsschalten
Niedrige Betriebstemperatur
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Note
Im Lieferumfang des SiC-Versorgungsmoduls BSM180D12P2C101 sind keine Schottky-Dioden (SBD) enthalten.
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