ROHM BSM BSM120D12P2C005 N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 120 A 935 W, 4-Pin C

RS Best.-Nr.:: 144-2257
Herst. Teile-Nr.:: BSM120D12P2C005
Marke:: ROHM

ROHM BSM BSM120D12P2C005 N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 120 A 935 W, 4-Pin C

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RS Best.-Nr.:: 144-2257
Herst. Teile-Nr.:: BSM120D12P2C005
Marke:: ROHM

BSM120D12P2C005, SiC Power Module
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	1200 V
Gehäusegröße	C
Serie	BSM
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.6V
Verlustleistung max.	935 W
Breite	45.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	SiC
Länge	122mm
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Höhe	17mm

ROHM BSM BSM120D12P2C005 N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 120 A 935 W, 4-Pin C

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