ROHM N-Kanal, Schraub SiC-Leistungsmodul 1200 V / 204 A 1360 W
- RS Best.-Nr.:
- 246-1508
- Herst. Teile-Nr.:
- BSM180D12P2C101
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 246-1508
- Herst. Teile-Nr.:
- BSM180D12P2C101
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 204 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Verlustleistung max. | 1360 W | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 204 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Verlustleistung max. 1360 W | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
ROHM BSM180D12P2C101 1200V, 204A, Halbbrücke, Siliziumkarbid (SiC) Leistungsmodul
Eigenschaften
・SiC MOSFET-only Leistungsmodul
・Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringer Schaltverlust
・Gesicherte Zuverlässigkeit der Body-Diodenleitung
・Niedrige Body-Dioden Qrr und trr
・Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringer Schaltverlust
・Gesicherte Zuverlässigkeit der Body-Diodenleitung
・Niedrige Body-Dioden Qrr und trr
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
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