ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 180 A 880 W, 4-Pin C

RS Best.-Nr.:: 144-2254
Herst. Teile-Nr.:: BSM180D12P3C007
Marke:: ROHM

ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 180 A 880 W, 4-Pin C

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RS Best.-Nr.:: 144-2254
Herst. Teile-Nr.:: BSM180D12P3C007
Marke:: ROHM

BSM180D12P3C007, SiC Power Module
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	1200 V
Serie	BSM
Gehäusegröße	C
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5.6V
Gate-Schwellenspannung min.	2.7V
Verlustleistung max.	880 W
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	SiC
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Breite	45.6mm
Länge	122mm
Höhe	17mm
Betriebstemperatur min.	–40 °C

ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 180 A 880 W, 4-Pin C

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