ROHM BSM N-Kanal 2, SMD SiC-Leistungsmodul 1.2 kV Erweiterung / 180 A 880 W, 4-Pin

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RS Best.-Nr.:
144-2254
Herst. Teile-Nr.:
BSM180D12P3C007
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Serie

BSM

Kabelkanaltyp

N

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Montageart

SMD

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1.2 kV

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

180 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

880 W

Pinanzahl

4

Höhe

17 mm

Länge

122 mm

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Breite

45.6 mm

Ursprungsland:
JP

SiC Power Modules, ROHM


The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

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