STMicroelectronics SCTH50N120-7 N-Kanal, Oberfläche SiC-Leistungsmodul 1.2 kV Erweiterung / 55 A, 7-Pin H2PAK-7

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
204-3954
Herst. Teile-Nr.:
SCTH50N120-7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Serie

SCTH50N120-7

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1.2 kV

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

55 A

Pinanzahl

7

Gehäusegröße

H2PAK-7

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.065 Ω

Ursprungsland:
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very tight variation of on-resistance vs.

temperature

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

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