STMicroelectronics SCTH50N120-7 N-Kanal, Oberfläche SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 55 A, 7-Pin H2PAK-7

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
204-3954
Herst. Teile-Nr.:
SCTH50N120-7
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Serie

SCTH50N120-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.065Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wird unter Nutzung der fortschrittlichen, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großer Bandbreite hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und einer sehr guten Schaltleistung, die fast unabhängig von der Temperatur ist.

Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs.

Temperatur

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Niedrige Kapazität

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.