STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 55 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 204-3954
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH50N120-7
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 204-3954
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH50N120-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.065Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.065Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wird unter Nutzung der fortschrittlichen, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großer Bandbreite hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und einer sehr guten Schaltleistung, die fast unabhängig von der Temperatur ist.
Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs.
Temperatur
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Niedrige Kapazität
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