Teile-Nr.

STMicroelectronics Typ N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V Erweiterung / 60 A, 7-Pin H2PAK-7

RS Best.-Nr.:: 233-0471
Herst. Teile-Nr.:: SCTH60N120G2-7
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics Typ N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V Erweiterung / 60 A, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:: 233-0471
Herst. Teile-Nr.:: SCTH60N120G2-7
Marke:: STMicroelectronics

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	STMicroelectronics
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	60A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	1200V
	Gehäusegröße	H2PAK-7
	Montageart	SMD
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.052Ω
	Channel-Modus	Erweiterung

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	Marke STMicroelectronics
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V
	Gehäusegröße H2PAK-7
	Montageart SMD
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.052Ω
	Channel-Modus Erweiterung

Datasheet - SCTH60N120G2-7

Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen bemerkenswert niedrigen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlusts ist fast unabhängig von der Anschlusstemperatur.

Sehr schnelle und robuste innere Gehäuse-Diode.

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Sensor-Stift für erhöhte Effizienz

STMicroelectronics Typ N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V Erweiterung / 60 A, 7-Pin H2PAK-7

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