STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1.2 kV Erweiterung / 60 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 233-0471
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH60N120G2-7
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH60N120G2-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 1.2 kV | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 60 A | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.052 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 1.2 kV | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 60 A | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.052 Ω | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode.
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
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