STMicroelectronics N-Kanal STH65N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 51 A, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
481-127
Herst. Teile-Nr.:
STH65N050DM9-7AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Serie

STH65N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

N-Kanal

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Breite

24.3 mm

Länge

15.25mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der fortschrittlichen Super-Junction-Technologie MDmesh DM9, die für Mittel- und Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen extrem niedrigen RDS(on) pro Fläche und eine Fast-Recovery-Diode aus, wodurch er sich ideal für hocheffizientes Schalten eignet. Die DM9-Siliziumtechnologie nutzt ein Multi-Drain-Fertigungsverfahren, das die Struktur und Leistung der Bauteile verbessert. Mit einer sehr niedrigen Erholungsladung (Qrr), einer schnellen Erholungszeit (trr) und einem niedrigen RDS(on) ist dieser MOSFET für anspruchsvolle Brückentopologien und ZVS-Phasenschieberwandler optimiert.

Niedrige Gate-Ladung und Widerstand

100 % Avalanche-getestet

Äußerst hohe dv/dt-Robustheit

Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiberstifts

AEC-Q101 qualifiziert

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