STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 30 A, 7-Pin H2PAK-7

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
249-6654
Herst. Teile-Nr.:
SCT040H65G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Der Siliziumkarbid-Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation entwickelt. Das Teil zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen aus, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Source-Sensing-Pin für erhöhte Effizienz

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