STMicroelectronics SCTH90 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 116 A 484 W, 7-Pin H2PAK

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RS Best.-Nr.:
201-0868
Herst. Teile-Nr.:
SCTH90N65G2V-7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

116A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCTH90

Gehäusegröße

H2PAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

157nC

Maximale Verlustleistung Pd

484W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.8 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

10.4mm

Länge

15.25mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 116 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 18 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C)

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten

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