STMicroelectronics SCTH35 Typ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V Erweiterung / 45 A, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
201-0890
Herst. Teile-Nr.:
SCTH35N65G2V-7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCTH35

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.055Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Der 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics hat einen Nennstrom von 45 A und Drain-to-Source-Widerstand 55 m Ohm. Es verfügt über einen geringen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlusts ist fast unabhängig von der Anschlusstemperatur.

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Niedrige Kapazität

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