STMicroelectronics SCTH35 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
201-0890
Herst. Teile-Nr.:
SCTH35N65G2V-7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

45 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

SCTH35

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

0,055 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.2V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 45 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 55 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität

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