STMicroelectronics N-Kanal STH65N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 51 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 481-129
- Herst. Teile-Nr.:
- STH65N050DM9-7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | STH65N | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | N-Kanal | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.25mm | |
| Breite | 24.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie STH65N | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration N-Kanal | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.25mm | ||
Breite 24.3 mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der fortschrittlichen Super-Junction-Technologie MDmesh DM9, die für Mittel- und Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen extrem niedrigen RDS(on) pro Fläche und eine Fast-Recovery-Diode aus, wodurch er sich ideal für hocheffizientes Schalten eignet. Die DM9-Siliziumtechnologie nutzt ein Multi-Drain-Fertigungsverfahren, das die Struktur und Leistung der Bauteile verbessert. Mit einer sehr niedrigen Erholungsladung (Qrr), einer schnellen Erholungszeit (trr) und einem niedrigen RDS(on) ist dieser MOSFET für anspruchsvolle Brückentopologien und ZVS-Phasenschieberwandler optimiert.
Niedrige Gate-Ladung und Widerstand
100 % Avalanche-getestet
Äußerst hohe dv/dt-Robustheit
Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiberstifts
AEC-Q101 qualifiziert
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