STMicroelectronics SiC MOSFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A 150 W, 3-Pin H2PAK-2

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201-4416
Herst. Teile-Nr.:
SCT20N120H
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SiC MOSFET

Gehäusegröße

H2PAK-2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

203mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

10.4mm

Länge

15.8mm

Breite

4.7 mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Das SiC-Material hat hervorragende thermische Eigenschaften.

Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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