STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 21 A, 3-Pin H2PAK-2

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RS Best.-Nr.:
151-913
Herst. Teile-Nr.:
STH13N120K5-2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Serie

MDmesh K5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.69Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

10.4 mm

Länge

15.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.7mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen, proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Verringerung des Widerstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

AEC Q101 qualifiziert

Niedrigster RDS(on) x Bereich der Branche

Bestes FoM der Branche

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 % Avalanche-getestet

Zenergeschützt

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