STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 21 A, 3-Pin H2PAK-2

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

8,93 €

(ohne MwSt.)

10,63 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 98,93 €
10 - 998,04 €
100 - 4997,40 €
500 +6,88 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
151-914
Herst. Teile-Nr.:
STH13N120K5-2AG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Serie

MDmesh K5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.69Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.7mm

Länge

15.8mm

Breite

10.4 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen, proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Verringerung des Widerstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

AEC Q101 qualifiziert

Niedrigster RDS(on) x Bereich der Branche

Bestes FoM der Branche

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 % Avalanche-getestet

Zenergeschützt

Verwandte Links