STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP13N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 12 A 190 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 791-7807
Herst. Teile-Nr.:: STP13N80K5
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP13N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 12 A 190 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 791-7807
Herst. Teile-Nr.:: STP13N80K5
Marke:: STMicroelectronics

N-Channel 800V, 0.37 Ohm, 12A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 Packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Serie	MDmesh K5, SuperMESH5
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	450 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	4.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	29 nC @ 10 V
Höhe	15.75mm

STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP13N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 12 A 190 W, 3-Pin TO-220

N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics

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