STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP15N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 14 A 190 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 829-1443
Herst. Teile-Nr.:: STP15N80K5
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP15N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 14 A 190 W, 3-Pin TO-220

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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

2,75 €

(ohne MwSt.)

3,27 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	2,75 €	5,50 €
10 - 18	2,615 €	5,23 €
20 - 48	2,35 €	4,70 €
50 - 98	2,215 €	4,43 €
100 +	2,165 €	4,33 €

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RS Best.-Nr.:: 829-1443
Herst. Teile-Nr.:: STP15N80K5
Marke:: STMicroelectronics

Mehr Infos und technische Dokumente

STB15N80K5, STF15N80K5, STP15N80K5, STW15N80K5, N-Channel 800V, 0.3 Ohm typ., 14A SuperMESH 5 Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Packages
ESD Control Selection Guide V1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	14 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Serie	MDmesh K5, SuperMESH5
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	375 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	32 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	15.75mm