STMicroelectronics STB37N60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 12 A 250 W, 3-Pin H2PAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

10,49 €

(ohne MwSt.)

12,48 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.903 Einheit(en) mit Versand ab 23. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 910,49 €
10 - 999,97 €
100 - 2499,46 €
250 - 4998,99 €
500 +8,54 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
233-3041
Herst. Teile-Nr.:
STH12N120K5-2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK

Serie

STB37N60

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

690mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.8mm

Breite

15.8 mm

Automobilstandard

Nein

Die STMicroelectronics-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit sehr hoher Spannung wurden mit der Mdmesh TM K5-Technologie auf der Basis einer innovativen proprietären vertikalen Struktur entwickelt. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des Betriebswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Weltweit beste FOM (Leistungszahl)

Extrem niedrige Gate-Ladung

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

Verwandte Links