STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 4-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
233-0472
Herst. Teile-Nr.:
SCTWA35N65G2V-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCTWA35N65G2V-4

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

3.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

21.1mm

Länge

20.1mm

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Geringe Kapazitäten

Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz

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