STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 4-Pin Hip-247

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

370,83 €

(ohne MwSt.)

441,30 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 210 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +12,361 €370,83 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
233-0472
Herst. Teile-Nr.:
SCTWA35N65G2V-4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTWA35N65G2V-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Durchlassspannung Vf

3.3V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Breite

21.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

20.1mm

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Geringe Kapazitäten

Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.