STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 398 W, 3-Pin HIP-247-3
- RS Best.-Nr.:
- 719-468
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018W65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | HIP-247-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 398W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Breite | 5.15mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße HIP-247-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 398W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 20.15mm | ||
Breite 5.15mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101 qualifiziert
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
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