STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247 SCTW35N65G2VAG
- RS Best.-Nr.:
- 202-5488
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW35N65G2VAG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.055Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.75mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.055Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.75mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Höhe 34.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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