STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5488
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW35N65G2VAG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.055Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.055Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 5.15 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 34.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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