STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
202-5487
Herst. Teile-Nr.:
SCTW35N65G2VAG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCT

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.055Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

3.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15 mm

Länge

15.75mm

Höhe

34.95mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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