STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 1 MOSFET Erweiterung, 4-Pin Hip-247-4 SCT070W120G3-4
- RS Best.-Nr.:
- 214-964
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT070W120G3-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247-4 | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247-4 | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
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