STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 30 A, 4-Pin SCT040W65G3-4

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RS Best.-Nr.:
366-221
Herst. Teile-Nr.:
SCT040W65G3-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Betriebsfrequenz

1 MHz

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Ausgangsleistung

240W

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

20.1mm

Breite

15.9 mm

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Der Baustein zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen aus, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Sehr hohe Sperrschichttemperaturfähigkeit

Sensor-Stift für erhöhte Effizienz

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