STMicroelectronics Sct N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 388 W, 7-Pin HU3PAK

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RS Best.-Nr.:
719-466
Herst. Teile-Nr.:
SCT018HU65G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

Sct

Gehäusegröße

HU3PAK

Montageart

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

2.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

388W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

19mm

Breite

14.1 mm

Höhe

3.6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Sensor-Stift für erhöhte Effizienz

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