STMicroelectronics Sct N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 388 W, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 719-466
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018HU65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Serie | Sct | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 388W | |
| Durchlassspannung Vf | 2.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 19mm | |
| Breite | 14.1mm | |
| Höhe | 3.6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Serie Sct | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 388W | ||
Durchlassspannung Vf 2.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 19mm | ||
Breite 14.1mm | ||
Höhe 3.6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Sensor-Stift für erhöhte Effizienz
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