STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 750 V Erweiterung / 30 A, 7-Pin HU3PAK

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RS Best.-Nr.:
215-240
Herst. Teile-Nr.:
SCT060HU75G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Serie

SCT

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

750 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

30 A

Pinanzahl

7

Gehäusegröße

HU3PAK

Ursprungsland:
JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

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