STMicroelectronics SCT N-Kanal, SMD MOSFET 750 V / 30 A, 7-Pin HU3PAK

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RS Best.-Nr.:
215-239
Herst. Teile-Nr.:
SCT060HU75G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30 A

Drain-Source-Spannung max.

750 V

Serie

SCT

Gehäusegröße

HU3PAK

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Ursprungsland:
JP
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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