STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 30 A 23 W, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 215-242
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT070HU120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt sichern
10 weitere Einheiten hinzufügen, um 25% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
13,03 €
(ohne MwSt.)
15,51 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 207 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 13,03 € | - |
| 10 - 99 | 9,74 € | 25% |
| 100 - 599 | 9,62 € | 26% |
| 600 + | 9,52 € | 26% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-242
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT070HU120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 23W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 3.5mm | |
| Länge | 18.58mm | |
| Breite | 14mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Serie SCT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 23W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 3.5mm | ||
Länge 18.58mm | ||
Breite 14mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Verwandte Links
- STMicroelectronics Sct N-Kanal 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics Sct N-Kanal 4-Pin Hip-247-4
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics Sct N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 3-Pin HIP-247-3
- STMicroelectronics Sct N-Kanal 3-Pin HIP-247-3
- STMicroelectronics SCT0 MOSFET 1.2 kV / 90 A 555 W HU3PAK