STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 100 A 541 W, 4-Pin SCT020W120G3-4AG

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RS Best.-Nr.:
215-068
Herst. Teile-Nr.:
SCT020W120G3-4AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

3V

Maximale Verlustleistung Pd

541W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

121nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Äußerst geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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