MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 18.5 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, Foro passante SCT020W120G3-4AG
- Codice RS:
- 215-068
- Codice costruttore:
- SCT020W120G3-4AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
946,47 €
(IVA esclusa)
1154,70 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 30 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 31,549 € | 946,47 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-068
- Codice costruttore:
- SCT020W120G3-4AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 18.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 121nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 541W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 18.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 121nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 541W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22V | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente ridotte
Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto
Link consigliati
- MOSFET STMicroelectronics 18.5 mΩ Miglioramento 4 Pin, Foro passante
- MOSFET STMicroelectronics 63 mΩ Miglioramento 4 Pin, Foro passante SCT070W120G3-4AG
- MOSFET STMicroelectronics 20 mΩ Miglioramento 4 Pin, Foro passante SCT015W120G3-4AG
- MOSFET STMicroelectronics 56 A 1200 V 4 Pin SCT025W120G3-4AG
- MOSFET STMicroelectronics 40 A 1200 V 4 Pin SCT040W120G3-4AG
- MOSFET STMicroelectronics 63 mΩ Miglioramento 4 Pin, Foro passante
- MOSFET STMicroelectronics 20 mΩ Miglioramento 4 Pin, Foro passante
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 19.2 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro