STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 29 A 673 W, 4-Pin

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RS Best.-Nr.:
215-223
Herst. Teile-Nr.:
SCT015W120G3-4AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

167nC

Maximale Verlustleistung Pd

673W

Gate-Source-spannung max Vgs

4.2 V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Äußerst geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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