STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 236 W, 4-Pin

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RS Best.-Nr.:
215-245
Herst. Teile-Nr.:
SCT070W120G3-4AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-10 to 22 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Maximale Verlustleistung Pd

236W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Äußerst geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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