STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 100 A 541 W, 4-Pin Hip-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 215-070
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT020W120G3-4AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt sichern
10 weitere Einheiten hinzufügen, um 4,00 € zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
31,55 €
(ohne MwSt.)
37,54 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 31,55 € | - |
| 10 - 99 | 31,15 € | 4,00 € |
| 100 - 599 | 30,78 € | 77,00 € |
| 600 + | 30,41 € | 684,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-070
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT020W120G3-4AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | Hip-247-4 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 541W | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 121nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße Hip-247-4 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 541W | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 121nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Äußerst geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 4-Pin Hip-247-4
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 4-Pin Hip-247-4
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 4-Pin Hip-247-4
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 4-Pin Hip-247-4
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 4-Pin Hip-247-4
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 4-Pin Hip-247-4
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 4-Pin Hip-247-4
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 4-Pin Hip-247-4