STMicroelectronics SCT060HU N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 30 A, 7-Pin HU3PAK

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
152-111
Herst. Teile-Nr.:
SCT060HU75G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Gehäusegröße

HU3PAK

Serie

SCT060HU

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

58mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

3V

Gate-Source-spannung max Vgs

18V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

14.1mm

Höhe

3.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

19mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

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