STMicroelectronics STHU36N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 7-Pin STHU36N60DM6AG HU3PAK

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234-8898
Herst. Teile-Nr.:
STHU36N60DM6AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

HU3PAK

Serie

STHU36N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

210W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Serie mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert der DM6 sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Erholungszeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhaltens auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.

AEC-Q101-zertifiziert

Gehäusediode mit schnellerWiederherstellung

Niedriger RDS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100 % Avalanche-getestet

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