STMicroelectronics SCT0, Oberfläche Leistungs-MOSFET 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin HU3PAK

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RS Best.-Nr.:
330-233
Herst. Teile-Nr.:
SCT027HU65G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

HU3PAK

Serie

SCT0

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60.4nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

3.5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

18.58mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
JP
Der Siliziumkarbid-Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Quellensensorstift für mehr Effizienz

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