STMicroelectronics SCT0, Oberfläche MOSFET 1200 V / 90 A 500 W, 7-Pin HU3PAK

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330-230
Herst. Teile-Nr.:
SCT019HU120G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT0

Gehäusegröße

HU3PAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

19.2mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

111.2nC

Durchlassspannung Vf

3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
JP
Der Siliziumkarbid-Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Quellensensorstift für mehr Effizienz

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